El pasado 5 de abril Toshiba y Sandisk anunciaban que, siguiendo el plan de expansión previsto, construirán conjuntamente una nueva fábrica a la que llamarán “Fab 4” dedicada exclusivamente a la fabricación de memorias flash tipo NAND en las instalaciones de Toshiba en Yokkaichi, al oeste del país nipón, justo al lado de la ya operativa “Fab 3” dedicada también a la fabricación de este tipo de memorias. “El mercado de memorias NAND flash está experimentando un rápido crecimiento. Fab 4 asegurará aún más nuestra disponibilidad para responder a la demanda de memoria flash NAND de alta densidad en este creciente mercado” aseguraba Masashi Muromachi, consejero delegado de la división de semiconductores de Toshiba. No en vano, Toshiba ya es la segunda proveedora mundial de este tipo de memorias tras Samsung Electronics, y prevé aumentar la producción de 48.000 unidades al mes actuales a 70.000, y las previsiones son que probablemente esta cifra aumente a medio plazo.
Las memorias flash son la evolución de las ya veteranas EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), o lo que es lo mismo, memorias no volátiles que permiten ser escritas, borradas y reprogramadas byte a byte a través de impulsos eléctricos, que a diferencia de las EPROM, sólo podían borrarse mediante rayos ultravioletas. Las actuales memorias Flash pueden estar fabricadas con puertas lógicas NOR o NAND. Las NAND no permiten la ejecución en origen, o lo que es lo mismo, no permiten XIP (eXecute In Place), trasladando previamente a la memoria RAM la aplicación a ejecutar. Las NOR, al contrario, sí permiten ejecutar aplicaciones desde la propia memoria, y aunque son más lentas que las NAND, no requieren del uso de la RAM, optimizando de esta forma el funcionamiento del dispositivo.
Actualmente la gran mayoría de fabricantes se han decantado por las memorias tipo NAND MLC (Multi Level Cell). A favor: menor coste de fabricación (las NOR cuestan más del triple), mayor densidad de almacenamiento y mayor velocidad en procesos de escritura. La NOR en cambio tiene a favor la fiabilidad, ya que es un tipo de memoria prácticamente libre de fallos, sin bloques de datos erróneos.
En el mercado que nos interesa, el de las Pocket PC, Intel se había llevado la palma con sus memorias StrataFlash tipo NOR, y que encontrábamos en la práctica totalidad de dispositivos existentes. Por poner unos cuantos ejemplos, esta memoria se usó para la serie h38xx y h39xx, h2210, h5450, h5550 y hx4700 entre otras, las primeras de Fujitsu Siemens, las Dell (todas incluidas las actuales x51), las Toshiba e300, e400, e800 y e830… Pero llamaba la atención la memoria que incorporaba la exitosa h4150 de HP, en concreto, un solo módulo de 64MB de la por aquel entonces desconocida firma M-Systems. Hoy por hoy los papeles se han invertido y quien está presente en la gran mayoría de nuevos dispositivos Pocket PC, Phone Editions y SmartPhones es precisamente M-Systems, con sus exitosas memorias flash tipo NAND. La memoria ROM ha pasado a ser un simple medio para almacenar la imagen del sistema operativo, a la unidad principal de almacenamiento de todo el software que se ejecuta en nuestros dispositivos, gracias al nuevo sistema de gestión de la memoria de Windows Mobile 5.0. Por tanto, la NOR se demuestra claramente insuficiente en cuanto a velocidad para el nuevo sistema operativo.
M-Systems pues, con su flash NAND MLC DiskOnChip G3 ha inundado el mercado. En todas las pruebas realizadas a los dispositivos que la llevan en sus entrañas ha demostrado ser siempre la más rápida en procesos globales de lectura/escritura. Un punto a favor de la G3 es que dispone, aún siendo del tipo NAND, de la funcionalidad XIP para la inicialización y el “boot” del sistema operativo desde la propia memoria, ahorrando de esta forma un dispositivo paralelo para llevar a cabo esta función.
Pero a lo que íbamos. Prueba de que este mercado es claramente emergente, son Toshiba y Sandisk, con su acuerdo de colaboración, pero también lo son los recientes acuerdos de otras grandes compañías. Por ejemplo, en noviembre leíamos la noticia de que Intel y Micron habían subscrito un acuerdo de colaboración para el desarrollo y fabricación de memorias NAND MLC para todo tipo de dispositivos electrónicos y reproductores multimedia. Hoy nos enteramos de que las ventas de Micron desde dicho anuncio han subido notablemente, por encima de las previsiones más optimistas. En los tres primeros meses de este año el beneficio neto ha sido de 190 millones de dólares, notablemente superiores a los 113 millones del mismo período del año pasado.
M-Systems no se queda atrás, y paralelamente a la noticia de los buenos resultados de Micron, anuncia la nueva gama de memorias NAND-Flash Multi Level Cell (MLC) mDoc H3 optimizadas para los nuevos procesadores de tercera generación Intel Xscale con nombre en clave Monahans, y que han de ver la luz este mismo año. Tendrán unas densidades de entre 1Gbit y 16Gbit (128MB y 2GB) y contará con un software de gestión patentado por M-Systems, el TrueFSS, embedido en el propio módulo.
Pero el uso de las memorias NAND pueden llegar a ir mucho más allá. Por todos es sabido su masivo uso en tarjetas de memoria de todo tipo y en unidades de almacenamiento con interfaz USB. Pero es que Samsung anunciaba hace un par de semanas el SSD (Solid State Disk), un disco duro de 1,8” basado exclusivamente en flash NAND y con una capacidad de hasta 32GB. Muy pronto vamos a ver los primeros portátiles de esta marca que lo integren. Por otro lado tenemos a la omnipresente M-Systems, que también tiene en catálogo varios modelos de este tipo de unidades de almacenamiento. Con varias interfaces de conexión (S-ATA, IDE y SCSI) y varias medidas (de entre 1,8” y 3,5) todos ellos están basados también en memorias NAND, con capacidades de hasta 352GB.
Pero, ¿qué ventaja tiene un medio de almacenamiento flash respecto a un mecánico? Puede que muchas. Se accede a los datos instantáneamente, sin tener que depender de discos que tardan un tiempo a alcanzar la velocidad de giro adecuada, no se calientan tanto, no emiten ruidos, al no disponer de partes mecánicas no son sensibles a golpes, se garantiza un correcto funcionamiento a temperaturas extremas (es operativo a temperaturas de entre -55 y +85 grados), además de que el consumo energético es menor que un disco convencional. En contra, podríamos argumentar que el precio es aún notablemente mayor, y que tiene una vida limitada, aproximadamente unos 5 millones de ciclos de escritura/borrado en el mejor de los casos, aunque las lecturas sean totalmente ilimitadas.
Recientemente han aparecido también las primeras tarjetas SIM con memoria flash de hasta 1GB de capacidad, para el almacenamiento de contenidos multimedia en terminales que no dispongan de excesiva memoria. Numerosos reproductores ya han optado por este tipo de memoria en lugar de los tradicionales discos duros. Y si el problema es la capacidad, Samsung tiene previsto para finales de este mismo año un módulo flash NAND de 32GB. ¿Quién se hubiera imaginado que fuera posible incorporar 64GB de memoria en una Pocket PC? ¿Quién se hubiera imaginado que un portátil funcionaria algún día con memorias flash en lugar de disco duro, resultando de este modo totalmente silencioso y tolerante a golpes y temperaturas extremas? ¿Quizás es que el futuro sea flash?